Vwedenie w besperehodnyj dwuhzatwornyj MOP-tranzistor

Polewye tranzistory (PT), izgotawliwaemye w integral'nyh shemah, w osnownom imeüt perehody. V swqzi s umen'sheniem masshtaba ustrojstwa izgotowlenie ätih perehodow postepenno uslozhnqetsq. Krome togo, suschestwuet zhestkaq neobhodimost' w wysokom gradiente koncentracii dopinga dlq besperebojnogo funkcionirowaniq ustrojstwa. V poslednee wremq issledowateli sosredotochilis' na nowyh ustrojstwah, w kotoryh ne trebuetsq gradient legirowaniq i net perehodow. Odnoj iz takih struktur qwlqetsq besperehodnyj MOP-tranzistor s dwojnym zatworom (MOP-tranzistor JL-DG), kotoryj prodemonstrirowal uluchshennye harakteristiki w bor'be s äffektom korotkogo kanala, a imenno s inducirowannym stokom ponizheniem bar'era (DIBL), izmeneniqmi porogowogo naprqzheniq i t.d.