PROPIEDADES ÓPTICAS Y ELECTRÓNICAS DE LOS SEMICONDUCTORES DEL GRUPO II-VI

En los semiconductores, dos propiedades básicas, el hueco energético y el índice de refracción, determinan principalmente su funcionamiento óptico y electrónico. El índice de refracción de un material suele disminuir con el aumento del hueco energético, lo que fomenta una relación subyacente entre estas dos magnitudes fundamentales. Ha habido muchos intentos de correlacionar estas dos magnitudes con una relación empírica o semiempírica adecuada. El índice de refracción y la brecha energética de los semiconductores representan dos aspectos físicos fundamentales que caracterizan sus propiedades ópticas y electrónicas. En el presente trabajo, he investigado algunas de las propiedades ópticas y electrónicas de los semiconductores del grupo II-VI. Los compuestos II-VI se están utilizando ampliamente en detectores de infrarrojos, transistores bipolares de ultra alta velocidad, comunicaciones por fibra óptica y dispositivos avanzados de microondas. Estos materiales poseen la brecha de banda directa adecuada para producir diodos emisores de luz y láseres de longitud de onda azul a roja. Estos materiales se caracterizan por su diferente grado de ionicidad, lo que los hace aptos para un elevado acoplamiento electro-óptico y electromecánico. Los semiconductores II-VI de banda ancha se utilizan en dispositivos optoelectrónicos.