Issledowanie podporogowogo powerhnostnogo potenciala MOP-tranzistorow

V dannoj knige osnownoe wnimanie udeleno modelirowaniü i izucheniü wliqniq obednennyh sloew wokrug oblastej istoka i stoka na podporogowye harakteristiki korotkokanal'nogo MOP-tranzistora s rawnomerno legirowannym kanalom. Byla razrabotana analiticheskaq model' dlq podporogowogo powerhnostnogo potenciala w korotkokanal'nom MOP-tranzistore putem resheniq urawneniq Puassona w psewdo-2D, sformulirowannogo s primeneniem zakona Gaussa k prqmougol'nomu qschiku w kanale, ohwatywaüschemu wsü glubinu obednennogo sloq. Model' pozwolila predskazat' uwelichenie wliqniq obednennyh oblastej perehodow pri men'shej dline kanala i/ili bolee wysokih naprqzheniqh smescheniq stok-istok za schet uwelicheniq sowmestnogo ispol'zowaniq zarqda. Jeta zhe model' primenqetsq dlq opredeleniq podporogowogo powerhnostnogo potenciala dlq MOP-tranzistorow Double Halo. Umen'shenie razmerow pribora priwodit k umen'sheniü tolschiny oxida zatwora. V rezul'tate woznikaet nezhelatel'nyj äffekt gorqchih älektronow i uwelichiwaetsq tok tunnelirowaniq zatwora. Dlq ustraneniq ätogo nedostatka wmesto dioxida kremniq w kachestwe izoliruüschego materiala pod zatworom ispol'zuetsq wysokokristallicheskij material. Prowedennoe modelirowanie okazhetsq poleznym i pomozhet w dal'nejshej issledowatel'skoj rabote.