Estudio del potencial de superficie subumbral de los MOSFET

En este libro se ha prestado especial atención al modelado y la influencia de las capas de agotamiento alrededor de las regiones de fuente y drenaje en las características subumbrales de un transistor MOS de canal corto con canal uniformemente dopado. Se ha desarrollado un modelo analítico para el potencial superficial subumbral en un transistor MOS de canal corto resolviendo la ecuación de Poisson pseduo-2D, formulada aplicando la ley de Gauss a una caja rectangular en el canal que cubre toda la profundidad de la capa de agotamiento. El modelo ha sido capaz de predecir un aumento de la influencia de las regiones de agotamiento de la unión para longitudes de canal más pequeñas y/o tensiones de polarización drenador/fuente más altas debido al aumento de la carga compartida. El mismo modelo se aplica para determinar el potencial de superficie subumbral de los MOSFET de doble halo. La reducción de las dimensiones del dispositivo conlleva una reducción del grosor del óxido de puerta. Como resultado de ello, aumenta el indeseable efecto de electrones calientes y la corriente túnel de puerta. Para superar este inconveniente se utiliza material de alta k en lugar de dióxido de silicio como material aislante debajo de la puerta. Estos modelos resultarán beneficiosos y ayudarán en futuros trabajos de investigación.