CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit

In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fl?che ein als eine herk?mmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herk?mmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. F?r diese Zelle ist wie bei einer herk?mmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen au erdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten ?u erst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum f?r Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration k?nnen wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir k?nnen das Seitenverh?ltnis der Zelle ?ndern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir k?nnen Taktgatter f?r einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir k?nnen den Peripherieschaltkreis f?r eine bessere Leistung verbessern.